概述:HGQ024N04A硅n通道增强vdmosfet，采用高密度沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能。该器件适用于负载开关和PWM应用。包装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准。

特点:

l快速交换

l低ON电阻(Rdson≤2.4mΩ)

l低栅电荷

l反向传输电容低

l 100%单脉冲雪崩能量测试

应用程序:

适配器和充电器的电源开关电路。由于电子烟,电动工具

绝对温度(Tj= 25℃，除非另有说明)